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本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長（無銥法），將原料放在垂直的坩堝內， 然后從坩堝尖端開始通過預設好的溫度梯度區作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）等外延生長。
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）等外延生長。
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長，將原料放在留有狹縫的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具頂部，受籽晶誘導結晶生長成單晶。